Taguchi Method for p-MOS threshold voltage optimization with a gate length of 22nm
Link to publisher's homepage at http://ijneam.unimap.edu.my/
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | A. H. Afifah Maheran, Izwanizam, Yahaya, F. Salehuddin, K. E. Kaharudin |
---|---|
مؤلفون آخرون: | afifah@utem.edu.my |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
Universiti Malaysia Perlis (UniMAP)
2023
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/handle/123456789/78125 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Design and electrical simulation of a 22nm MOSFET with graphene bilayer channel using Double High-ĸ Metal Gate
بواسطة: A. H. Afifah Maheran, وآخرون
منشور في: (2022) -
Taguchi method for p-MOS threshold voltage optimization with a gate length of 22NM
بواسطة: Abdul Hamid, Afifah Maheran, وآخرون
منشور في: (2023) -
Optimization of HALO structure effects in 45nm p-type MOSFETs device using taguchi method
بواسطة: Salehuddin F., وآخرون
منشور في: (2023) -
Design and optimization of 22 nm gate length high-k/metal gate NMOS transistor
بواسطة: Afifah Maheran A.H., وآخرون
منشور في: (2023) -
Virtual fabrication of 14nm gate length n-Type double gate MOSFET
بواسطة: Afifah Maheran A. H, وآخرون
منشور في: (2023)