Effect of Halo structure variations on the threshold voltage of a 22 nm gate length NMOS transistor
This paper reports on the effects of the Halo structure variations on threshold voltage (Vth) in a 22 nm gate length high-k/metal gate planar NMOS transistor. Since the Vth is one of the important physical parameter for determining the functionality of complementary metal-oxide-semiconductor device,...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| التنسيق: | |
| منشور في: |
2017
|
| الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.uniten.edu.my:8080/jspui/handle/123456789/5206 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|