Threshold voltage optimization in a 22nm High-k/Salicide PMOS device
In this article, we examine the effect of four process parameters and two noise parameters on the threshold voltage (Vth) of a 22nm gate length PMOS device. The gate of the device uses titanium dioxide (TiO2) as the high permittivity material (high-k) layer to replace the traditional silicon dioxide...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| التنسيق: | |
| منشور في: |
2017
|
| الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.uniten.edu.my:8080/jspui/handle/123456789/5213 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|