Origin of cooperative transition of antisite-Arsenic defects in Be-doped low-temperature-grown GaAs layers

A cooperative transition of antisite As (AsGa) defects in Be-doped low-temperature grown GaAs layers was studied by comparing magnetization of samples with different AsGa+ ions concentrations. With the aid of first principle calculations, the origin of cooperative transitions was shown to be due to...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Mohamed, Mohd Ambri, Lam, Pham Tien, Otsuka, N.
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: Elsevier 2013
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://irep.iium.edu.my/29881/1/journal_of_crystal_growth.pdf
http://irep.iium.edu.my/29881/
http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.12.070
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة