DC and microwave characteristics of AlN spacer based Al₀.₃₇Ga₀.₆₃N/GaN HEMT on SiC substrates for high power RF applications
Link to publisher's homepage at http://ijneam.unimap.edu.my/
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | مقال |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
Universiti Malaysia Perlis (UniMAP)
2017
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/handle/123456789/49953 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|