Numerical analysis of carrier statistics in low-dimensional nanostructure devices
The carrier statistics for low-dimensional nanostructure is elaborated. The density of state (DOS) is proportional to d D ? where d is the dimensionality of the nanostructure and D ? is the De- Broglie wavelength proportion of Fermi-Dirac (FD) integral that covers the carrier statistics to all degen...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Saad, Ismail, Taghi Ahmadi, M., Riyadi, Munawar A., Ismail, Razali, Arora, Vijay K. |
---|---|
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English English |
منشور في: |
Penerbit UTM Press
2009
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/id/eprint/21029/3/IsmailSaad2009_NumericalAnalysisofCarrierStatistics.pdf http://eprints.utm.my/id/eprint/21029/4/jurnalteknologi/article/view/170 http://eprints.utm.my/id/eprint/21029/ |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Low-dimensional carrier statistics in nanostructures
بواسطة: Qindeel, Rabia, وآخرون
منشور في: (2011) -
Analytical study of carrier statistic in 2-dimensional nanoscale P-MOS
بواسطة: Ismail, Razali, وآخرون
منشور في: (2009) -
Analytical study of drift velocity in low dimensional devices
بواسطة: Ahmadi, Mohammad Taghi, وآخرون
منشور في: (2008) -
Physics-based simulation of carrier velocity in 2-dimensional p-type MOSFET
بواسطة: Riyadi, Munawar Agus, وآخرون
منشور في: (2009) -
Modeling of nanodevices and nanostructures
بواسطة: Ismail, Razali, وآخرون
منشور في: (2014)