Gaussian distribution of inhomogeneous barrier height in nanocrystalline graphite (NCG)/p-Si Schottky diodes
Schottky characteristics of nanocrystalline graphite/p-Si junction were investigated using current-voltage measurements at various temperatures between 298 and 473 K. Using the thermionic emission theory, the extracted ideality factor reduces by 77% while Schottky barrier height increases by 46% wit...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| التنسيق: | مقال |
| منشور في: |
Institute of Physics Publishing
2019
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/id/eprint/88749/ http://dx.doi.org/10.7567/1347-4065/ab1e37 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|