Wide wavelength range and high speed SiGe/Si multi quantum-well silicon-on-insulator-based lateral PIN photodiode
Silicon-on-insulator (SOI)-based silicon germanium (SiGe) multi quantum-well (MQW) infrared PIN photodiode has a broad range of application including infrared sensors as well as in optical fiber communications. In this paper, we present improvement of a virtual lateral PIN photodiode with a SiGe/Si...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Menon P.S., Tasirin S.K., Ahmad I., Abdullah S.F. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | 57201289731 |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
American Scientific Publishers
2023
|
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Wide wavelength range and high speed SiGe/Si multi quantum-well silicon-on-insulator-based lateral PIN photodiode
بواسطة: Menon, P.S., وآخرون
منشور في: (2017) -
Taguchi optimization of a SiGe/Si quantum dot SOI-based lateral PIN photodiode
بواسطة: Menon, P.S., وآخرون
منشور في: (2017) -
Taguchi optimization of a SiGe/Si quantum dot SOI-based lateral PIN photodiode
بواسطة: Menon P.S., وآخرون
منشور في: (2023) -
High performance of a SOI-based lateral PIN photodiode using SiGe/Si multilayer quantum well
بواسطة: Menon, P.S., وآخرون
منشور في: (2017) -
High performance of a SOI-based lateral PIN photodiode using SiGe/Si multilayer quantum well
بواسطة: Menon P.S., وآخرون
منشور في: (2023)