Effect of device parameters on transmission coefficient of Al₀.₃Ga₀.₈N/GaN Resonant Tunneling Diode grown on silicon substrate
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| 主要な著者: | , |
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| その他の著者: | |
| フォーマット: | 論文 |
| 言語: | English |
| 出版事項: |
Universiti Malaysia Perlis
2016
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| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/handle/123456789/41289 |
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