Effect of device parameters on transmission coefficient of Al₀.₃Ga₀.₈N/GaN Resonant Tunneling Diode grown on silicon substrate

• المؤلفون الرئيسيون: Chowdhury, Subhra, Biswas, Dhrubes
• مؤلفون آخرون: [e-mail]
• التنسيق: مقال
• اللغة: English
• منشور في: Universiti Malaysia Perlis 2016
• الموضوعات: AlGaN/GaN RTD; Resonant Tunneling Diode; Mobility; Transmission coefficient
• الوصول للمادة أونلاين: http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/handle/123456789/41289

Link to publisher's homepage at http://ijneam.unimap.edu.my/