The optimization of P-i-N power switching diode in term of reverse breakdown voltage and electrostatic disharge performance
Master of Science in Nanoelectronic Engineering
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | See, Jian Hao |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Mohd Khairuddin, Md Arshad, Assoc. Prof. Ir. Dr. |
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
Universiti Malaysia Perlis (UniMAP)
2017
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/handle/123456789/76629 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
2D-modeling for the simulation of current-voltage characteristics in polysilicon schottky diode deposited by LPCVD and SAPCVD methods
بواسطة: Benseddik, Nadia, وآخرون
منشور في: (2009) -
Partial disharge recognition using artificial neural network
بواسطة: Nur Afifah, Yusoff
منشور في: (2017) -
Design of Pin Diode Detector
بواسطة: Md Yunus, Nurul Amziah
منشور في: (2001) -
The study on the effects of varying Dopant concentration and Diffusion Time in the design of Silicon Avalanche Diode with minimum Vbr of 120v+20% by simulation
بواسطة: Yip Siew Ling
منشور في: (2008) -
Design and simulation of Gallium Arsenide based Schottky diodes for RF applications
بواسطة: Ong Chee Meng
منشور في: (2008)