The role of selective pattern etching to improve the Ohmic contact resistance and device performance of AlGaN/GaN HEMTs

• المؤلفون الرئيسيون: A., Dhongde, S., Taking, M., Elksne, S., Samanta, A., Ofiare, K., Karami, A., Al-Khalidi, E., Wasige
• مؤلفون آخرون: [e-mail]
• التنسيق: مقال
• اللغة: English
• منشور في: Universiti Malaysia Perlis (UniMAP) 2022
• الموضوعات: AlGaN/GaN; Etching high electron mobility transistors (HEMTs); Ohmic contact
• الوصول للمادة أونلاين: http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/handle/123456789/75226

Link to publisher's homepage at http://ijneam.unimap.edu.my