Electroluminescence studies of modulation p-doped quantum dot laser structures
Electroluminescence (EL) measurements have been performed on InAs/InGaAs/GaAs quantum dot (QD) structures with varying amounts of modulation p-doping. Temperature-dependent EL measurements show a reduction of the integrated EL intensity (IEL) with increasing temperature but with the size of this red...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Hasbullah, Nurul Fadzlin, Hopkinson, Mark, Alexander, Ryan R., Hogg, Richard A., David, John P.R, Badcock, Tom J., Mowbray, David J. |
---|---|
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
IEEE
2010
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://irep.iium.edu.my/1478/1/Electroluminescence_Studies_of_Modulation.pdf http://irep.iium.edu.my/1478/ http://dx.doi.org/10.1109/JQE.2010.2049828 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Dark Current mechanisms in quantum dot laser structures
بواسطة: Hasbullah, Nurul Fadzlin, وآخرون
منشور في: (2011) -
Effect of modulation p-doping on the optical properties of quantum dot laser structure
بواسطة: Hasbullah, Nurul Fadzlin, وآخرون
منشور في: (2010) -
Reverse leakage current mechanisms in quantum dot laser structures
بواسطة: Hasbullah, Nurul Fadzlin, وآخرون
منشور في: (2011) -
p-doped 1.3 μm InAs/GaAs quantum-dot laser with a low threshold current density and high differential efficiency
بواسطة: Liu, H. Y., وآخرون
منشور في: (2006) -
Correlation between defect density and current leakage in InAs∕GaAs quantum dot-in-well structures
بواسطة: Sanchez, A. M., وآخرون
منشور في: (2009)