Effect of front-surface-field and back-surface-field on the performance of GaAs based-photovoltaic cell

Aluminum gallium arsenide; Conversion efficiency; Efficiency; Electronic design automation; Gallium arsenide; III-V semiconductors; Nanosensors; Nanotechnology; Photoelectrochemical cells; Photovoltaic cells; Photovoltaic effects; Semiconducting gallium; Semiconductor alloys; Active regions; Back su...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Gamel M., Jern K.P., Rashid E., Jing L.H., Yao L.K., Wong B.
مؤلفون آخرون: 57215306835
التنسيق: Conference Paper
منشور في: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 2023
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!