Numerical simulations of innovative ground plane and double-gate configurations in thin-body and -buried oxide of SOI MOSFETS
Doctor of Philosophy in Microelectronic Engineering
保存先:
| 第一著者: | |
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| その他の著者: | |
| フォーマット: | 学位論文 |
| 言語: | English |
| 出版事項: |
Universiti Malaysia Perlis (UniMAP)
2017
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| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/handle/123456789/77998 |
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