Application of InN based quantum dot in reducing short circuit current variation of solar cell above room temperature
Link to publisher's homepage at http://www.ttp.net/
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Mohd Abdur Rashid, Dr., Mohd Fareq, Abd. Malek, Dr., A.N., Al-Khateeb, Rosli, F.A., Md. Abdullah, Al Humayun, Nur Hafeizza, Ramly |
---|---|
مؤلفون آخرون: | abdurrashid@unimap.edu.my |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
Trans Tech Publications
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.unimap.edu.my:80/dspace/handle/123456789/32675 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Minimization of open circuit voltage fluctuation of quantum dot based solar cell using InN
بواسطة: Farah Ayuni, Rosli, وآخرون
منشور في: (2014) -
Efficiency enhancement of InN quantum dot based solar cell
بواسطة: Humayun, M. A., وآخرون
منشور في: (2013) -
Improvement of absorption characteristics of solar cell above room temperature using quantum dot
بواسطة: A. N., Alekhateeb, وآخرون
منشور في: (2014) -
Stability analysis of solar cell characteristics above room temperature using indium nitride based quantum dot
بواسطة: Mohd Abdur Rashid, Dr., وآخرون
منشور في: (2014) -
Theoretical characteristics of 1.55 μm InN based quantum dot laser
بواسطة: Md Mottaleb, Hossain, وآخرون
منشور في: (2014)