Inductively Coupled Plasma Etching On Gan

Dalam projek ini, penyelidikan difokuskan kepada kajian tentang pengaruh pelbagai campuran plasma (H2 dan Ar) kepada Ch sebagai gas asas pada GaN menggunakan punaran kering khususnya punaran plasma yang digandingkan secara teraruh (ICP) untuk mendapatkan anisotropik yang tinggi In this project...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Rosli, Siti Azlina
Format: Thesis
Language:English
Published: 2010
Subjects:
Online Access:http://eprints.usm.my/29516/1/Inductively_coupled_plasma_etching_on_GaN.pdf
http://eprints.usm.my/29516/
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Dalam projek ini, penyelidikan difokuskan kepada kajian tentang pengaruh pelbagai campuran plasma (H2 dan Ar) kepada Ch sebagai gas asas pada GaN menggunakan punaran kering khususnya punaran plasma yang digandingkan secara teraruh (ICP) untuk mendapatkan anisotropik yang tinggi In this project, the research mainly focused on the investigation of the influence of the various plasma mixtures (H2 and Ar) in Ch-based on GaN using dry etching majoring in Inductively Coupled Plasma etching to obtain highly anisotropic