Inductively Coupled Plasma Etching On Gan
Dalam projek ini, penyelidikan difokuskan kepada kajian tentang pengaruh pelbagai campuran plasma (H2 dan Ar) kepada Ch sebagai gas asas pada GaN menggunakan punaran kering khususnya punaran plasma yang digandingkan secara teraruh (ICP) untuk mendapatkan anisotropik yang tinggi In this project...
Saved in:
Main Author: | |
---|---|
Format: | Thesis |
Language: | English |
Published: |
2010
|
Subjects: | |
Online Access: | http://eprints.usm.my/29516/1/Inductively_coupled_plasma_etching_on_GaN.pdf http://eprints.usm.my/29516/ |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Summary: | Dalam projek ini, penyelidikan difokuskan kepada kajian tentang pengaruh
pelbagai campuran plasma (H2 dan Ar) kepada Ch sebagai gas asas pada GaN
menggunakan punaran kering khususnya punaran plasma yang digandingkan secara
teraruh (ICP) untuk mendapatkan anisotropik yang tinggi
In this project, the research mainly focused on the investigation of the
influence of the various plasma mixtures (H2 and Ar) in Ch-based on GaN using dry
etching majoring in Inductively Coupled Plasma etching to obtain highly anisotropic |
---|