Influence of rapid thermal oxidation process on the optoelectronic characteristics of PSI devices

• المؤلفون الرئيسيون: Alwan, M. Alwan, Narges, Z. Abdulzahra, Naser Mahmoud, Ahmed, Halim, N.H.A.
• التنسيق: مقال
• اللغة: English
• منشور في: Universiti Malaysia Perlis 2009
• الموضوعات: Porous silicon; Oxidation; Optical properties; Porous silicon > Optical properties; Silicon
• الوصول للمادة أونلاين: http://dspace.unimap.edu.my/xmlui/handle/123456789/7119

Link to publisher's homepage at http://www.unimap.edu.my/ ; Open access only applicable for vol. 1 ; issue 1, 2008 & vol. 2 ; issue 1 & 2, 2009.