الوصف: FP-LAPW calculations of ground state properties for AlN, GaN and InN compounds

Link to publisher's homepage at http://www.unimap.edu.my/ ; Open access only applicable for vol. 1; issue 1, 2008.

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Daoudi, B., Sehil, M., Boukraa, A., Abid, H.
التنسيق:	مقال
اللغة:	English
منشور في:	Universiti Malaysia Perlis 2008
الموضوعات:	FP-LAPW LDA GGA Semiconductors Nitride compound Gallium nitride Semiconductors > Materials
الوصول للمادة أونلاين:	http://dspace.unimap.edu.my/xmlui/handle/123456789/2369
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

الوصف
الملخص:	Link to publisher's homepage at http://www.unimap.edu.my/ ; Open access only applicable for vol. 1; issue 1, 2008.