Influence of Al-flux on the growth of AlN/GaN/AlN films on Si (1 1 1) substrate by MBE

• المؤلفون الرئيسيون: M.Z. Mohd Yusoff, Azzafeerah Mahyuddin, Z. Hassan, H. Abu Hassan, M.J. Abdullah, UniKL MIAT
• منشور في: Elsevier 2014
• الموضوعات: AlN; MBE; XRD; III-Nitride; Silicon
• الوصول للمادة أونلاين: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0749603613003534; http://localhost/xmlui/handle/123456789/7382

Full text article available in ScienceDirect