Excitonic contribution of nanosilicon on light emitting properties
A phenomenological model is developed by integrating the effect of excitonic energy states, localized surface states and quantum confin ement (QC) to obtain an analytical expression for the room temperature photoluminescence (PL) intensity. We calculate the binding energy of strongly confined exc...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Ghoshal, Sib Krishna, Sahar, Md. Rahim, Rohani, M. S. |
---|---|
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2012
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.utm.my/id/eprint/46950/ http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.364.308 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Excitonic contribution on light emitting properties of nanosilicon
بواسطة: Ghoshal, Sib Krishna, وآخرون
منشور في: (2011) -
Effects of exciton-polariton on Mach-Zehnder interference devices
بواسطة: Arith, Faiz, وآخرون
منشور في: (2014) -
A review of leakage current mechanism in nitride based light emitting diode
بواسطة: Hedzir, Anati Syahirah, وآخرون
منشور في: (2016) -
A model for enhanced up-conversion luminescence in erbium-doped tellurite glass containing silver nanoparticles
بواسطة: Ghoshal, Sib Krishna, وآخرون
منشور في: (2012) -
Modelling of the Light Emitting Diode (LED) Heating/Cooling Process
بواسطة: Loo, Chee Meng
منشور في: (2015)