Excitonic contribution of nanosilicon on light emitting properties

A phenomenological model is developed by integrating the effect of excitonic energy states, localized surface states and quantum confin ement (QC) to obtain an analytical expression for the room temperature photoluminescence (PL) intensity. We calculate the binding energy of strongly confined exc...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Ghoshal, Sib Krishna, Sahar, Md. Rahim, Rohani, M. S.
التنسيق: مقال
منشور في: 2012
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://eprints.utm.my/id/eprint/46950/
http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.364.308
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة