Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron

• Main Author: Sulong, Muhammad Suhaimi
• Format: Thesis
• Language: English
• Published: 2005
• Subjects: TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering; TK7800-8360 Electronics
• Online Access: http://eprints.uthm.edu.my/7967/1/24p%20MUHAMMAD%20SUHAIMI%20SULONG.pdf; http://eprints.uthm.edu.my/7967/

Satu kajian untuk mengukur pencirian bagi peranti CMOS dengan panjang get (Le) 0.15 mikron telah dijalankan. Analisa bagi pencirian clektrik dilaksanakan menggunakan Sistem Penguk.llran CV-IV manakala analisa bagi pencirian bahan pula dilaksanakan menggunakan Fokus Alur Ion (FIB), Mikroskopi Pcngcsan Ekktron (SEM) dan Peleraian Tenaga Sinar-X (EDX). Kcputusan bagi kajian tcrscbut menunjukkan operasi bagi transistor nMOS Icbih k.llrang dua kali ganda kc1ajuannya berbanding transistor pMOS dengan nilai purata voltan ambang (Vr) sebanyak 0.36V berbanding 0.66V bagi transistor pMOS. Sehubungan dengan itu, daripada kcratan rentas yang dihasilkan oleh FIB, panjang get (Le) bagi transistor nMOS dan pMOS masing-masing ialah 0.124 mikron dan 0.135 mikron. Bahan-bahan bagi pcranti tersebut terdiri daripada bahan silikon (Si) bagi bahagian substrat, bahan polisilikon (Si) bagi transistor get, bahan tungsten (W) bagi bahagian sentuhan, bahan aluminium (AI) bagi bahagian sambungan logaml, logam2 dan logam 3 scrta bahan silikon oksida (Si02) bagi bahagian medan oksida teba!. Scbagai kesimpulan, pcranti ini tclah difabrikasi dengan sempuma dan ia sepatutnya mampu berfungsi dcngan baik.