Investigation On The Dc Characteristics Of The Resonant Tunneling Diode Through Empirical Modelling

• Main Author: Tan, Ker Lee
• Format: Monograph
• Language: English
• Published: Universiti Sains Malaysia 2017
• Subjects: T Technology; TK Electrical Engineering. Electronics. Nuclear Engineering
• Online Access: http://eprints.usm.my/53072/1/Investigation%20On%20The%20Dc%20Characteristics%20Of%20The%20Resonant%20Tunneling%20Diode%20Through%20Empirical%20Modelling_Tan%20Ker%20Lee_E3_2017.pdf; http://eprints.usm.my/53072/

DBRTD merupakan satu elektronik peranti dua-terminal yang mengaplikasi kuantum mekanik. Operasi kerjanya adalah menerowong electron melalui satu halangan peranti pada satu peringkat tenaga dalam keadaan resonant. Dalam konteks kuantum mekanik, partikel bertingkah laku dalam bentuk gelombang. Dalam kerja penyelidikan ini, prinsip operasi, teori, struktur parameter serta ciri-ciri I-V khusunya dalam bidang perbezaan rintangan negatif perlu dikaji melalui model empirical dengan penyesuaian lengkungan menggunakan alat simulasi MATLAB dan penyamaan fizik. Keistimewaan RTD dalam menyampaikan hubungan arus-tegangan dalam bidang NDR yang menentangi sifat Ohm’s law kerana hubungan tersebut adalah berbanding terbalik dalam lengkungan simulasi. Walaubagaimanapun, ciri-ciri khas ini membolehkan keupayaannya untuk menjana frekuensi kelajuan yang tinggi sehingga Terahertz. Bagi model empirical, dimensi fizikal peranti boleh dikenalpasti selepas parameter yang tidak diketahui ditentukan melalui penyesuaian lengkungan I-V dalam simulasi MATLAB. Singkatnya, kajian ini menumpukan kepada dua struktur peranti utama, iaitu GaAs/AlAs yang melabelkan XMBE#66, dan InGaAs/AlAs yang melabelkan XMBE#230. GaAs/AlAs dimodelkan kepadatan puncak arus 16290 A/cm2, voltage puncak 0.315 V, lembah ketumpatan arus 4294 A/cm2, dan lembah voltan 0.422 V. InGaAs/AlAs dimodelkan kepadatan puncak arus 39820 A/cm2, voltan puncak 0.305V, lembah ketumpatan arus 4447 A/cm2, dan lembah voltan 0.685 V. Pendek kata, peranti InGaAs/AlAs akan dapat memberikan prestasi yang lebih baik daripada GaAs/AlAs dengan PVCR yang lebih tinggi sebanyak 8954, manakala PVCR GaAs/AlAs lebih rendah sebanyak 3794. Pembangunan potensi DBRTD akan manjadi sebaiknya dengan teknologi akhir tinggi masa depan dan elektronik aplikasi berkelajuan tinggi menggantikan diod konvensional arus.