Rf-Mbe Growth Of Iii-Nitrides Heterostructures For Light Detecting Applications

Dalam penyelidikan ini, GaN p-n struktur homo, AlN/GaN struktur hetero, dan AlxGa1-xN/GaN struktur hetero telah berjaya ditumbuhkan di atas substrat silikon (Si) (111) menerusi epitaksi alur molekul plasma terbantu (MBE) untuk aplikasi pengesan foto. Galium (7N) dan aluminium (6N5) dengan ketulen...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Mohd Yusoff, Mohd Zaki
Format: Thesis
Language:English
Published: 2016
Subjects:
Online Access:http://eprints.usm.my/31760/1/MOHD_ZAKI_BIN_MOHD_YUSOFF_24%28NN%29.pdf
http://eprints.usm.my/31760/
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Similar Items