A comparative study of confined carrier concentration of laser using quantum well and quantum dot in active layer

• المؤلفون الرئيسيون: Md. Abdullah, Al Humayun, Mohd Abdur Rashid, Dr., Mohd Fareq, Abd. Malek, Dr., Adawati, Yusof, Farrah Salwani, Abdullah, Nor Baizura, Ahmad
• مؤلفون آخرون: [e-mail]
• التنسيق: مقال
• اللغة: English
• منشور في: Trans Tech Publications 2014
• الموضوعات: Active layer thickness; InxGa1-xN; Quantum dot; Quantum well
• الوصول للمادة أونلاين: http://dspace.unimap.edu.my:80/dspace/handle/123456789/33191

Link to publisher's homepage at http://www.ttp.net/