Development and fabrication of Ion-sensitive Field Effect Transistor (ISFET) for pH detection, DNA immobilization and hybridization
The fabrication of ion sensitive field-effect transistor (ISFET) using silicon nitride (Si3N4) as the sensing membrane is reported. The operation of ISFET is based on the surface charge adsorption of the membrane-solution interface. This thesis describes the design, fabrication and characterization...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Chong, Soon Weng |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
Universiti Malaysia Perlis (UniMAP)
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.unimap.edu.my:80/dspace/handle/123456789/31211 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Fabrication of ISFET for pH detection
بواسطة: Chong, Soon Weng, وآخرون
منشور في: (2013) -
Design and fabrication of n-isfet using SI₃N₄/SIO₂ structure for pH measurement
بواسطة: Nur Syuhada, Md. Desa
منشور في: (2014) -
Design, fabrication and characterization of CMOS ISFET for pH measurements
بواسطة: Chin, Seng Fatt
منشور في: (2011) -
ISFET for pH Sensor
بواسطة: M.N. Haron
منشور في: (2013) -
ISFET for pH Sensor
بواسطة: Mohd Naim, Haron, وآخرون
منشور في: (2011)