Pencirian transistor karbon tiub nano berdinding tunggal yang dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung

• Main Authors: Mohd Ambri Mohamed,, Farah Dzilhani Zulkefli,, Burhanuddin Yeop Majlis,
• Format: Article
• Language: English
• Published: Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia 2017
• Online Access: http://journalarticle.ukm.my/11132/1/17%20Mohd%20Ambri%20Mohajed.pdf; http://journalarticle.ukm.my/11132/; http://www.ukm.my/jsm/malay_journals/jilid46bil7_2017/KandunganJilid46Bil7_2017.html

Transistor berasaskan karbon tiub nano (CNTFET) telah dihasilkan melalui kaedah pertumbuhan langsung menggunakan alkohol pemangkin pemendapan wap kimia. Sifat struktur dan ciri elektrik peranti telah dikaji. FET ini menunjukkan operasi ambipolar dan ia selaras dengan jenis-Schottky FET. Ia telah didapati bahawa ketinggian halangan Schottky yang wujud antara sentuhan elektrod dan CNT, boleh termodulat oleh aplikasi berkesan daripada voltan pincang (VDS) dan voltan get (VGS). Aplikasi voltan pincang sahaja tidak mudah untuk merendahkan ketinggian halangan Schottky dan ketebalan halangan Shottky, tetapi ia berkait rapat dengan aplikasi voltan get. Bagi konfigurasi peranti dalam kajian ini, keberkesanan medan boleh dikaitkan dengan VGS:VDS = 10:-1. Peningkatan arus didapati disebabkan oleh pengurangan tenaga pengaktifan. Kaitan yang jelas antara kesan voltan pincang, voltan get dan tenaga pengaktifan telah diperhati dalam kajian ini.