TERNARY LOGIC DESIGN USING CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTORS AND RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY

• المؤلف الرئيسي: ZAHOOR, FURQAN
• التنسيق: أطروحة
• اللغة: English
• منشور في: 2022
• الموضوعات: TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
• الوصول للمادة أونلاين: http://utpedia.utp.edu.my/id/eprint/31143/1/Furqan%20Zahoor_18000022.pdf; http://utpedia.utp.edu.my/id/eprint/31143/